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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BDD160GB54DPBI |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, BGA-80 |
| 文件頁數(shù)： | 40/80頁 |
| 文件大小： | 3476K |
| 代理商： | AM29BDD160GB54DPBI |
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Am29BDD160G
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selector nor the program/erase margin enable. In-
stead, this function is accomplished by issuing the
specific command for either program (68h) or erase
(60h).
In asynchronous mode, the DQ6 toggle bit indicates
whether the program or erase sequence is active. (In
synchronous mode, ADV# indicates the status.) If
the DQ6 toggle bit toggles with either OE# or CE#,
the non-volatile bit program or erase operation is in
progress. When DQ6 stops toggling, the value of the
non-volatile bit is available on DQ0.
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