參數(shù)資料
型號(hào)： Am29DL800BT120EEB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
中文描述： 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），3.0伏的CMOS只，同時(shí)作業(yè)快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 41/43頁(yè)
文件大?。?/td> 580K
代理商： AM29DL800BT120EEB
Am29DL800B
41
P R E L I M I N A R Y
PHYSICAL DIMENSIONS (continued)
FGB048 —48-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA), 6 x 9 mm (measured in mm)
5.80
6.20
8.80
9.20
DATUM B
DATUM A
INDEX
0.025
CHAMFER
0.15 M
Z B M
0.15 M
Z B M
5.60
BSC
0.40
4.00
BSC
0.08 M
Z A B
0.10 Z
0.25
0.45
0.80
DETAIL A
0.20 Z
DETAIL A
1.20 MAX
0.40 ± 0.08 (48x)
0.40
16-038-FGB-2
EG137
12-2-97 lv
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Am29DL800BT120EIB 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
AM29DL800BT120EE 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
Am29DL800BB70EE 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
Am29DL800BB70EEB 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
AM29DL800BB70EI 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
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