參數(shù)資料
型號： Am29F016D-120ECB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
中文描述： 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體
文件頁數(shù)： 29/45頁
文件大小： 1145K
代理商： AM29F016D-120ECB
28
Am29F016D
AC CHARACTERISTICS
Read-only Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. Refer to and for test specifications.
Parameter Symbol
Parameter Description
Test
Setup
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
-70
-90
-120
-150
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
150
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE# = V
IL
OE# = V
IL
Max
70
90
120
150
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
70
90
120
150
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
40
40
50
55
ns
t
OEH
Output Enable Hold
Time (Note 1)
Read
Min
0
0
0
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
10
10
10
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Note 1)
Max
20
20
30
35
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Note 1)
Max
20
20
30
35
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses CE#
or
OE# Whichever Occurs First
Min
0
0
0
0
ns
t
Ready
RESET# Pin Low to Read Mode
(Note 1)
Max
20
20
20
20
μs
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
ACC
t
RC
t
OEH
t
OE
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
t
OH
Figure 9.
Read Operation Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F016D-150E4I 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F016D-150EC LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V Reference Diode; Package: TO-92; No of Pins: 3; Qty per Container: 1800; Container: Box
Am29F016D-150ECB LM136-5.0/LM236-5.0/LM336-5.0 5.0V Reference Diode; Package: TO-92; No of Pins: 3; Qty per Container: 1800; Container: Box
AM29F016D-150EE LM3370 Dual Synchronous Step-Down DC-DC Converter with Dynamic Voltage Scaling Function; Package: LLP; No of Pins: 16; Qty per Container: 1000; Container: Reel
Am29F016D-150EEB LM3370 Dual Synchronous Step-Down DC-DC Converter with Dynamic Voltage Scaling Function; Package: LLP; No of Pins: 16; Qty per Container: 1000; Container: Reel
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參數(shù)描述
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