參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F200T-150FE
英文描述： x8/x16 Flash EEPROM
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 35/39頁(yè)
文件大?。?/td> 728K
代理商： AM29F200T-150FE
Am29F002B/Am29F002NB
35
PLCC AND PDIP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
4
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
PP
= 0
8
12
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
Years
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AM29F200T-150SC x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200T-150SE 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package; Similar to IRFIZ46N with Lead Free Packaging
AM29F200T-150SEB 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; Similar to IRFR024N with Lead Free Packaging
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參數(shù)描述
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AM29F400AB-75EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
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