參數(shù)資料
型號： Am29F800BB-120ECB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： Dual Retriggerable Monostable Multivibrators 16-VQFN -40 to 85
中文描述： 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），5.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁數(shù)： 31/39頁
文件大?。?/td> 518K
代理商： AM29F800BB-120ECB
Am29F800B
37
P R E L I M I NARY
PHYSICAL DIMENSIONS (continued)
TS 048—48-Pin Standard Thin Small Outline Package (measured in millimeters)
TSR048—48-Pin Reverse Thin Small Outline Package (measured in millimeters)
48
25
1
24
18.30
18.50
19.80
20.20
11.90
12.10
0.05
0.15
0.50 BSC
0.95
1.05
16-038-TS48-2
TS 048
DT95
8-8-96 lv
Pin 1 I.D.
1.20
MAX
0.50
0.70
0.10
0.21
0.25MM (0.0098") BSC
0
°
5
°
0.08
0.20
48
25
1
24
18.30
18.50
19.80
20.20
11.90
12.10
SEATING PLANE
0.05
0.15
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0.95
1.05
16-038-TS48
TSR048
DT95
8-8-96 lv
Pin 1 I.D.
1.20
MAX
0.50
0.70
0.10
0.21
0.25MM (0.0098") BSC
0
°
5
°
0.08
0.20
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PDF描述
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AM29F800BB-120EF Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:120ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
AM29F800BB-120SD Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:44-SOIC; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:120ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
AM29F800BB-55ED Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:55ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
AM29F800BB-70EC Flash Memory IC; Access Time, Tacc:70ns; Package/Case:48-TSOP; Leaded Process Compatible:No; Memory Configuration:512K x 16 / 1M x 8; Memory Size:8Mbit; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Supply Voltage Max:5.5V RoHS Compliant: No
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AM29F800BB-55EF\\T 制造商:Spansion 功能描述:IC 8MEG(512K16)BOTTOM SCTOR 100K (CS39S)
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