參數(shù)資料
型號： AM29LV008BB90EI
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁數(shù)： 22/35頁
文件大?。?/td> 744K
代理商： AM29LV008BB90EI
22
Am29LV040B
DC CHARACTERISTICS (continued)
Zero Power Flash
20
15
10
5
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
S
Time in ns
Note:
Addresses are switching at 1 MHz
Figure 7.
I
CC1
Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
10
8
2
0
1
2
3
4
5
Frequency in MHz
S
Note:
T = 25
°
C
Figure 8.
Typical I
CC1
vs. Frequency
2.7 V
3.6 V
4
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29LV008BB90FC MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:84A; On Resistance, Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes; Package/Case:D2PAK; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
AM29LV008BB90FE 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
AM29LV008BB90FI 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
AM29LV008BT120EC x8 Flash EEPROM
AM29LV008BT120EE 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
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