參數(shù)資料
型號(hào)： AM29LV008BB90EI
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁(yè)數(shù)： 29/35頁(yè)
文件大?。?/td> 744K
代理商： AM29LV008BB90EI
Am29LV040B
29
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-60R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
120
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29LV008BB90FC MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:84A; On Resistance, Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes; Package/Case:D2PAK; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
AM29LV008BB90FE 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
AM29LV008BB90FI 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
AM29LV008BT120EC x8 Flash EEPROM
AM29LV008BT120EE 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
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參數(shù)描述
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