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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV010B-55EC |
| 英文描述： | 50V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 23/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV010B-55EC |
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Am29LV040B
23
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Figure 9.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-60R,
-70
-90,
-120
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 10.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AM29LV010B-55EI | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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