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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV010B-55EC |
| 英文描述： | 50V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 30/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV010B-55EC |
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30
Am29LV040B
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
WHWH1 or 2
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, DQ7# = complement of the data written to the device, D
OUT
is the data written
to the device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
Figure 17.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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