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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV065MU40EF |
| 廠(chǎng)商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8 M x 8-Bit) MirrorBit⑩ 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O⑩ Control |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位）的MirrorBit⑩3.0伏特，只有統(tǒng)一部門(mén)閃存記憶體與VersatileI /輸出⑩控制 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 55/62頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 778K |
| 代理商： | AM29LV065MU40EF |
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September 12, 2006
Am29LV065MU
53
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#,
DQ15
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0A0 for program
5555 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
3030 for sector erase
1010 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
t
POLL
Notes:
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
Figure 25.
Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program)
Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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