參數(shù)資料
型號： AM29LV160MB100EI
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
中文描述： 16兆位（2米× 8位/ 1個M x 16位），3.0伏的MirrorBit只引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁數(shù)： 45/60頁
文件大?。?/td> 1849K
代理商： AM29LV160MB100EI
August 11, 2003 25974B0
Am29LV160M
43
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Figure 15. BYTE# Timings for Read Operations
Figure 16. BYTE# Timings for Write Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
Parameter
Speed Options
J EDEC
Std
Description
70R
85
90
100
Unit
t
ELFL/
t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
25
30
30
30
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
85
90
100
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
t
ELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
t
ELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
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PDF描述
AM29LV160MB100FI 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
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