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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV160MT30EI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit TM 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1個(gè)M x 16位）的MirrorBit?3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 51/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 967K |
| 代理商： | AM29LV160MT30EI |
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January31,2007 25974B5
Am29LV160M
49
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Enter
Embedded
Erasing
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21.
DQ2 vs. DQ6 for Erase and
Erase Suspend Operations
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Figure 22.
Temporary Sector Unprotect/Timing Diagram
Parameter
All Speed Options
J EDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV160MT30FI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit TM 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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