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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29PL160CB-65R |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1個(gè)M x 16位）的CMOS 3.0伏，不僅具備高性能頁(yè)面模式閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/44頁(yè) |
| 文件大小： | 987K |
| 代理商： | AM29PL160CB-65R |
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36
Am29PL160C
June 12, 2002
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
-65R
-70R
-90
-120
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
65
70
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
7
μs
Word
Typ
9
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
5
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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