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參數(shù)資料
| 型號： | AM45DL6408G |
| 英文描述： | 250NS, CERDIP, 883C; LEV B COMPLIANT(EEPROM) |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/ 4米× 16位）CMOS和8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位）（初步） |
| 文件頁數(shù)： | 56/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 1191K |
| 代理商： | AM45DL6408G |
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August 28, 2002
Am45DL32x8G
55
P R E L I M I N A R Y
CompactCell SRAM AC CHARACTERISTICS
Power Up Time
When powering up the SRAM, maintain V
CC
s for 100 μs minimum with CE#1s at V
IH
.
Read Cycle
Notes:
1. CE1#s = OE# = V
IL
, CE2s = WE# = V
IH
, UB#s and/or LB#s = V
IL
2. Do not access device with cycle timing shorter than t
RC
for continuous periods < 10 μs.
Figure 28.
CompactCell SRAM Read Cycle
—
Address Controlled
Parameter
Symbol
Description
Speed
Unit
70
85
t
RC
Read Cycle Time
Min
70
85
ns
t
AA
Address Access Time
Max
70
85
ns
t
CO1
, t
CO2
Chip Enable to Output
Max
70
85
ns
t
OE
Output Enable Access Time
Max
35
40
ns
t
BA
LB#s, UB#s to Access Time
Max
70
85
ns
t
LZ1
, t
LZ2
Chip Enable (CE1#s Low and CE2s High) to Low-Z
Output
Min
10
ns
t
BLZ
UB#, LB# Enable to Low-Z Output
Min
10
ns
t
OLZ
Output Enable to Low-Z Output
Min
5
ns
t
HZ1
, t
HZ2
Chip Disable to High-Z Output
Max
25
ns
t
BHZ
UB#s, LB#s Disable to High-Z Output
Max
25
ns
t
OHZ
Output Disable to High-Z Output
Max
25
ns
t
OH
Output Data Hold from Address Change
Min
10
ns
ddress
ata Out
Previous Data Valid
Data Valid
t
AA
t
RC
t
OH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM46-0006 | 250NS, LCC, 883C; LEV B FULLY COMPLIANT(EEPROM) |
| AM46-0007 | DIE(EEPROM) |
| AM486DE2 | Am486DE2 Microprocessor Data Sheet |
| AM486DX | Am486DX - Am486DX Block Diagram |
| AM486DXPGA | Am486DX PGA - Am486DX PGA Package Temperature Comparisons |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM45N06-16D | 制造商:ANALOGPOWER 制造商全稱:ANALOGPOWER 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| AM45W | 制造商:ECLIPSE 功能描述:BLADE LOW ALLOY 12X1/2X0.025X18TPI |
| AM460 | 制造商:AME 制造商全稱:Analog Microelectronics 功能描述:Industrial Converter and Protector IC |
| AM46-0006 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| AM46-0007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
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