參數(shù)資料
型號(hào)： AM45DL6408G
英文描述： 250NS, CERDIP, 883C; LEV B COMPLIANT(EEPROM)
中文描述： 64兆位（8米× 8位/ 4米× 16位）CMOS和8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位）（初步）
文件頁(yè)數(shù)： 57/64頁(yè)
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代理商： AM45DL6408G
56
Am45DL32x8G
August 28, 2002
P R E L I M I N A R Y
CompactCell SRAM AC CHARACTERISTICS
Read Cycle
Notes:
1. WE# = V
IH
, if CIOs is low, ignore UB#s/LB#s timing.
2. t
and t
are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output
voltage levels.
3. At any given temperature and voltage condition, t
HZ
(Max.) is less than t
LZ
(Min.) both for a given device and from device to device
interconnection.
4. Do not access device with cycle timing shorter than t
RC
for continuous periods < 10 μs.
Figure 29.
CompactCell SRAM Read Cycle
Data Valid
High-Z
t
RC
CE#1s
Address
OE#
Data Out
t
OH
t
AA
t
CO1
t
OE
t
OLZ
t
BLZ
t
LZ
t
OHZ
t
HZ
CE2s
t
CO2
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PDF描述
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