參數(shù)資料
型號(hào)： AOI403
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： GREEN, TO-251A, IPAK-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 505K
代理商： AOI403
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
-V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
5
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15
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25
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C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
0
80
160
240
320
400
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
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P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
C
oss
C
rss
V
DS=-15V
I
D=-20A
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
10
s
0.0
0.1
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100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
100
-I
D
(A
m
p
s
)
-V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
100
s
40
0
2
4
6
8
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0
10
20
30
40
50
60
-V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
5
10
15
20
25
30
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
0
80
160
240
320
400
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
θθθθ
J
C
N
o
rm
a
li
z
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d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
C
oss
C
rss
V
DS=-15V
I
D=-20A
Single Pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TC+PDM.Z
θJC.RθJC
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
10
s
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
100
-I
D
(A
m
p
s
)
-V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
100
s
RθJC=1.1°C/W
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD403 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOI472A 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AOL1426 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON6704 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON6718 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOI409 功能描述:MOSFET P-CH 60V 26A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOI4102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOI4126 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOI4130 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOI4144 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
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