參數(shù)資料
型號(hào)： AON6704
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, GREEN, DFN-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： AON6704
AON6704
30V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
85A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 2.5m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 3.4m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJC
Maximum Junction-to-Case
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
1.1
50
1.5
Power Dissipation
B
PD
W
Power Dissipation
A
PDSM
W
TA=70°C
83
1.6
TA=25°C
A
TA=25°C
IDSM
A
TA=70°C
ID
85
66
TC=25°C
TC=100°C
Avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Avalanche Current
C
19
Continuous Drain
Current
125
24
A
50
SRFET
TM AON6704 uses advanced trench technology
with a monolithically integrated Schottky diode to provide
excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is
suitable for use as a low side FET in SMPS, load
switching and general purpose applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
30V
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
Units
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
15
42
20
250
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
G
Parameter
Typ
Max
TC=25°C
2.5
33
TC=100°C
SRFET TM
G
D
S
SRFET
TM
Soft Recovery MOSFET:
Integrated Schottky Diode
Top View
1
2
3
4
8
7
6
5
PIN1
DFN5X6
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Rev 3 : March 2011
www.aosmd.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AON6718 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP01N40J 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP02N40J 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP02N40H 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP02N40K-HF 0.45 A, 400 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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