參數(shù)資料
型號： AOL1412
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 85 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： GREEN, ULTRASO-8, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 338K
代理商： AOL1412
AOL1412
30V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
85A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 3.9m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 4.6m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJC
Maximum Junction-to-Case
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
1.5
60
1.8
Power Dissipation
B
PD
W
Power Dissipation
A
PDSM
W
TA=70°C
83
1.3
TA=25°C
A
TA=25°C
IDSM
A
TA=70°C
ID
85
66
TC=25°C
TC=100°C
Avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Avalanche Current
C
14
Continuous Drain
Current
110
17
A
47
SRFET
TM AOL1412 uses advanced trench technology
with a monolithically integrated Schottky diode to provide
excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is
suitable for use as a low side FET in SMPS, load
switching and general purpose applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
30V
Units
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
V
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
20
50
25
200
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
G
Parameter
Typ
Max
TC=25°C
2
42
TC=100°C
SRFET TM
G
D
S
SRFET
TM
Soft Recovery MOSFET:
Integrated Schottky Diode
UltraSO-8
TM
Top View
Bottom View
G
D
S
G
S
Rev7: November 2010
www.aosmd.com
Page 1 of 7
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PDF描述
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參數(shù)描述
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