參數(shù)資料
型號： AOL1412
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 85 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： GREEN, ULTRASO-8, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 338K
代理商： AOL1412
AOL1412
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
25
30
IS (A)
Figure 19: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. Conduction Current
Q
rr
(n
C
)
0
2
4
6
8
10
12
I r
m
(A
)
di/dt=800A/
s
125C
25C
Qrr
Irm
0
5
10
15
20
25
30
35
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/
s)
Figure 21: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. di/dt
Q
rr
(n
C
)
0
2
4
6
8
10
I r
m
(A
)
125C
25C
Is=20A
Qrr
Irm
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
IS (A)
Figure 20: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. Conduction Current
t r
r
(n
s
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
S
di/dt=800A/
s
125C
25C
trr
S
0
5
10
15
20
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/
s)
Figure 22: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. di/dt
t r
r
(n
s
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
S
125C
25C
125
Is=20A
trr
S
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 17: Diode Reverse Leakage Current vs.
Junction Temperature
I R
(A
)
VDS=12V
VDS=24V
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 18: Diode Forward voltage vs. Junction
Temperature
V
S
D
(V
)
IS=1A
10A
20A
5A
Rev7: November 2010
www.aosmd.com
Page 6 of 7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOL1448 36 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON6428 43 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON7406 25 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP01N15GK-HF 100 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP01N40G-HF 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOL1413 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9A ULTRA8-SO RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOL1414 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A ULTRA SO-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOL1414_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1414L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1418 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A ULTRA SO-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*