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參數(shù)資料
| 型號： | AON6428 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 43 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 6 X 5 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | AON6428 |
AON6428
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
40
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
S
(V
o
lt
s
)
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
10
15
20
25
30
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Ciss
0
40
80
120
160
200
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
o
w
e
r
(W
)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θθθθ
J
C
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Coss
Crss
VDS=15V
ID=20A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TC+PDM.ZθJC.RθJC
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=150°C
TC=25°C
10
s
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
100
VDS (Volts)
I D
(A
m
p
s
)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=150°C
TC=25°C
100
s
RθJC=4.2°C/W
Rev 5: April 2011
www.aosmd.com
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AON7406 | 25 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N15GK-HF | 100 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40G-HF | 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP02N40J-HF | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40H-HF | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AON6428L | 功能描述:MOSF N CH 30V 43A DFN5X6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AON6435 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AON6440 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:40V N-Channel MOSFET |
| AON6442 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 65A 8-Pin DFN EP 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6 |
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