參數(shù)資料
型號(hào)： AP02N90J-HF
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 1.9 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： AP02N90J-HF
AP02N90H/J-HF
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
10V
QGS
QGD
QG
Charge
0
2
4
6
8
10
12
04
8
12
16
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
V DS = 180 V
V DS = 360 V
V DS = 540 V
I D = 1.9 A
1
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
DUTY=0.
SINGLE
0.01
0.10
1.00
10.00
1
10
100
1000
10000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T C =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
Operation in this
area limited by
RDS(ON)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP02N90H-HF 1.9 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP03N40AJ-HF 2.7 A, 400 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP03N40AP-HF 2.7 A, 400 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AP03N70I-A-HF 3.3 A, 650 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AP03N90P-HF 3 A, 900 V, 5.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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參數(shù)描述
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AP02N90P-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP0300A-00 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:1SILICON PIN DIODE CHIP
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AP0-314-G-A1 制造商:Samtec Inc 功能描述:
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