參數(shù)資料
型號(hào)： AP0904GJ-HF
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 51 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： AP0904GJ-HF
AP0904GH/J-HF
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3
0
20
40
60
80
100
024
68
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C =150
o C
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V G =4.0V
0
20
40
60
80
100
120
02
46
8
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C =25
o C
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V G = 4.0V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(ON)
I D =30A
V G =10V
0
10
20
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
8
9
10
11
12
13
24
68
10
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(ON)
(m
Ω
)
I D =20A
T C =25
o C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
V
GS(t
h)
(V
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP0904GH-HF 51 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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AP09N20BGH-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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