參數(shù)資料
型號(hào)： AP3987I
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 7 A, 600 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-220CFM, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： AP3987I
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. Normalized BVDSS v.s. Junction
Fig 4. Normalized On-Resistance
Temperature
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3
AP3987I
0.8
0.9
1
1.1
1.2
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
BV
DSS
(V
)
0
4
8
12
16
0
4
8
12
16
20
24
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C =25
o C
V G =4.0V
10V
7.0V.
6.0V
5.0V
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C =150
o C
V G =4.0V
10V
7.0V
6.0V
5.0V
0
1
2
3
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C )
N
o
rmalize
d
R
DS(ON)
I D =5A
V G =10V
0
2
4
6
8
10
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S(A
)
T j = 25
o C
T j = 150
o C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
V
GS(t
h)
(V
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP3987R 7 A, 600 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
AP3988I-HF 9 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AP3989I 10 A, 600 V, 0.68 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AP3989P 10 A, 600 V, 0.68 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AP3990I 10 A, 600 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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AP3988P-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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