參數(shù)資料
型號： AP9922GEO
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 6400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： AP9922GEO
AP9922GEO
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
2
4
6
8
10
0
1020
3040
5060
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
V DS =10 V
V DS =12 V
V DS =16 V
I D =6 A
100
1000
10000
1
5
9
1317
2125
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=208℃/W
t
T
Single Pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0
10
20
30
01
23
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =5V
Operation in this
area limited by
RDS(ON)
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PDF描述
AP9924GO 6.8 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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AP9950AGH-HF 60 A, 70 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP9960GH 42 A, 40 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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