參數(shù)資料
型號： AP9924GO
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 6.8 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： AP9924GO
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
AP9924GO
td(on) tr
td(off)tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
2
4
6
8
04
8
12
16
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
V DS =10V
V DS =12V
V DS =16V
I D =6A
0
200
400
600
800
1
5
9
13
17
21
25
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=250
oC/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
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PDF描述
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