參數(shù)資料
型號(hào): APT100GF60JRD
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 140 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商: APT100GF60JRD
Package Outline : TO-263
Millimeters
MIN
NOM
MAX
A
4.25
4.75
5.20
A1
0.00
0.15
0.30
A2
2.20
2.45
2.70
b
0.70
0.90
1.10
b1
1.07
1.27
1.47
c
0.30
0.45
0.60
c1
1.15
1.30
1.45
D
8.30
8.90
9.40
D1
D2
E
9.70
10.10
10.50
E1
E2
E3
e
2.04
2.54
3.04
L1
L2
L3
4.50
4.90
5.30
L4
θ
-----
1.All Dimensions Are in Millimeters.
2.Dimension Does Not Include Mold Protrusions.
Part Marking Information & Packing : TO-263
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP.
SYMBOLS
5.10(ref)
1.27(ref)
7.40(ref)
6.40(ref)
8.00(ref)
2.54(ref)
1.50
Part Number
b
b1
e
L2
L3
c1
A
θ
A1
L4
c
YWWSSS
LOGO
A2
Date Code (YWWSSS)
Y:Last Digit Of The Year
WW:Week
SSS:Sequence
Package Code
9971AGS
E
D
L3
c1
A
θ
A1
c
D1
E1
meet Rohs requirement
for low voltage MOSFET only
E2
E3
L1
D2
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GF60JU2 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GF60JU3 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2G 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GF60LR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT100GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.3V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT100GLQ65JU3 功能描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.3V @ 15V,1000A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1