參數(shù)資料
型號(hào): APT100GF60JRD
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 140 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù): 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商: APT100GF60JRD
Package Outline : TO-220
Millimeters
MIN
NOM
MAX
A
4.25
4.48
4.70
b
0.65
0.80
0.90
b1
1.15
1.38
1.60
c
0.40
0.50
0.60
c1
1.00
1.20
1.40
E
9.70
10.00
10.40
E1
---
11.50
e
----
2.54
----
L
12.70
13.60
14.50
L1
2.60
2.80
3.00
L2
1.00
1.40
1.80
L3
2.60
3.10
3.60
L4
14.70
15.50
16.00
L5
6.30
6.50
6.70
φ
3.50
3.70
3.90
D
8.40
8.90
9.40
1.All Dimensions Are in Millimeters.
2.Dimension Does Not Include Mold Protrusions.
Part Marking Information & Packing : TO-220
SYMBOLS
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP.
E
b
b1
e
D
L3
L4
L1
L2
A
c1
c
L
Package Code
Part Number
Date Code (ywwsss)
Y:Last Digit Of The Year
WW:Week
SSS:Sequence
9971AGP
YWWSSS
LOGO
φ
L5
meet Rohs requirement
for low voltage MOSFET only
E1
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GF60JU2 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GF60JU3 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2G 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GF60LR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT100GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.3V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT100GLQ65JU3 功能描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.3V @ 15V,1000A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1