參數(shù)資料
型號： APT100GT120JRDLG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 123 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： APT100GT120JRDLG
0
0.05
0. 1
0.15
0. 2
0.25
10-4
10-3
10-2
10-1
0.1
1
10
0
50
100
150
200
250
0
200
400
600 800 1000 1200 1400
10
100
1000
10000
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
Typical Performance Curves
APT100GT120JRDL(G)
052-6351
Rev
A
7-2008
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Dissipated Power
(Watts)
T
J (°C)
T
C (°C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
EXT
0
10
20
30
40
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Z
θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
F
MAX
,OPERA
TING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 800V
R
G = 4.7Ω
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, f max2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - P cond
E
on2 + E off
f
max2 =
P
diss =
T
J - T C
R θJC
C
oes
C
res
C
ies
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
75°C
100°C
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE
FIGURE 18, Minimum Switching Safe Operating Area
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
.045
.0135
.039
.034
.0618
17.42
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PDF描述
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參數(shù)描述
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