參數(shù)資料
型號(hào)： APT200GN60JDQ4
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 283 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 524K
代理商： APT200GN60JDQ4
050-7611
Rev
B
3-2005
APT200GN60JDQ4
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT100DQ60
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT200GN60J 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT20GF120BRD 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT20GF120SRD 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT20GF120SRDQ1G 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT20GF120BRDQ1G 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT 600V 283A 682W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APT200GT60JR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube
APT200GT60JRDL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
APT200GT60JRDQ4 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI - Rail/Tube
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