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參數(shù)資料
| 型號： | APT20M22JVRU3 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 97 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 720K |
| 代理商： | APT20M22JVRU3 |
APT20M22JVRU3
A
P
T
20M
22J
V
R
U
3–
R
ev
0
O
ct
obe
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
6 – 7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT20M22LVR | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT20M22LVR | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT20M34SLL | 74 A, 200 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT20M34BLLG | 74 A, 200 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT20M34BLL | 74 A, 200 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT20M22LVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M22LVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT20M22LVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M22LVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT20M25JNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 100A I(D) |
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