參數(shù)資料
型號(hào)： APT25GT120BRDQ2G
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 428K
代理商： APT25GT120BRDQ2G
052-6269
Rev
B
12-2005
APT25GT120BRDQ2(G)
V
GE =15V,TJ=125°C
V
GE =15V,TJ=25°C
V
CE = 800V
R
G = 5
L = 100H
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
ICE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
V
CE = 800V
T
J = 25°C, or 125°C
R
G = 5
L = 100H
30
25
20
15
10
5
0
70
60
50
40
30
20
10
0
10,000
8,000
6,000
4,000
2,000
0
18,000
16,000
14,000
12,000
10,000
8,000
6,000
4,000
2,000
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
2500
2000
1500
1000
500
0
9,000
8,000
7,000
6,000
5,000
4,000
3,000
2,000
1,000
0
V
GE = 15V
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
10 15 20 25 30 35
40 45 50 55
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
10 15 20
25 30 35 40
45 50
55
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G = 5, L = 100H, VCE = 800V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
R
G = 5, L = 100H, VCE = 800V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
E
on2,50A
E
off,50A
E
on2,25A
E
off,25A
E
on2,12.5A
E
off,12.5A
VCE = 800V
VGE = +15V
TJ = 125°C
E
on2,50A
E
off,50A
E
on2,25A
E
off,25A
E
on2,12.5A
E
off,12.5A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT25GT120BRG 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GT120BR 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GT120SRG 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT25GT120BR 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AA
APT25GT120SR 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APT25M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT25M100J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT25SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT25SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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