- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄362383 > APT30GF60BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT30GF60BN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 30A條一（c）|至247 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | APT30GF60BN |
PEARSON 411
CURRENT
TRANSFORMER
0.5 IRRM
di
F
/dt Adjust
30μH
D.U.T.
+15v
-15v
0v
Vr
4
3
1
2
5
5
0.75 IRRM
trr/Qrr
Waveform
Zero
6
1
2
3
4
6
di
/dt - Current Slew Rate, Rate of Forward
Current Change Through Zero Crossing.
I
F
- Forward Conduction Current
I
RRM
- Peak Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time Measured from Point of I
Current Falling Through Zero to a Tangent Line
{
diM/dt
}
Extrapolated Through Zero Defined by 0.75 and 0.50 I
RRM
.
Qrr - Area Under the Curve Defined by I
RRM
and trr.
diM/dt - Maximum Rate of Current Change During the Trailing Portion of trr.
6
Figure 9, Diode Reverse Recovery Test Circuit and Waveforms
Figure 10, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
Qrr = 1/2
(
trr . I
RRM
)
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
TO-247 Package Outline
APT30D120BCT
0
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Anode 1
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Common Cathode
Anode 2
Dimensions in Millimeters and (Inches)
C
TO-247 Package Outline
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30GL100BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| APT30GP60BD1 | Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):49Amps|Ultrafast IGBT Family |
| APT30M30JFLL | Volts:300V RDS(ON)0.03Ohms ID(cont):88Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
| APT30M30LFLL | Test fixture for 0402 body sizes |
| APT30M36B2FLL | Volts:300V RDS(ON)0.036Ohms ID(cont):84Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT30GF60JCU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode |
| APT30GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT30GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT30GL100BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| APT30GN60B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
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