參數(shù)資料
型號： APT30M85BVR
元件分類： JFETs
英文描述： 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 64K
代理商： APT30M85BVR
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D[Cont.]
@ 25
°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D[Cont.]
@ 25
°C
R
G
= 1.6
MIN
TYP
MAX
4100
4950
700
980
200
300
130
195
25
37
55
77
12
24
10
20
43
65
714
UNIT
pF
nC
ns
APT30M85BVR
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge 3
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller ") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
050-5515
Rev
B
Characteristic / Test Conditions
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current 1 (Body Diode)
Diode Forward Voltage 2 (V
GS
= 0V, I
S
= -I
D[Cont.]
)
Reverse Recovery Time (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/
s)
Reverse Recovery Charge (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/
s)
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
Volts
ns
C
MIN
TYP
MAX
40
160
1.3
390
6
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction
3 See MIL-STD-750 Method 3471
temperature.
4 Starting Tj = +25°C, L = 1.63mH, RG = 25, Peak IL = 40A
2 Pulse Test: Pulse width < 380
S, Duty Cycle < 2%
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
RθJC
RθJA
MIN
TYP
MAX
0.42
40
UNIT
°C/W
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(
°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.1
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.2
D=0.5
0.01
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PDF描述
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