參數(shù)資料
型號： APT33GF120LRDQ2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 454K
代理商： APT33GF120LRDQ2
052-6280
Rev
A
11-2005
APT33GF120B2_LRDQ2(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT40DQ120
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT33GF120B2RDQ2G 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT33GF120LRDQ2 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT33H60B 33 A, 600 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB
APT33H60S 33 A, 600 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT33N90JCCU3 33 A, 900 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT 1200V 64A 357W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT33N90JCCU2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APT33N90JCCU3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APT33N90JCU2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 900V 33A SOT227
APT33N90JCU3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 900V 33A SOT227
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