參數(shù)資料
型號： APT35GP120J
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 95K
代理商： APT35GP120J
050-7409
Rev
D
6-2003
APT35GP120J
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
Cies
Coes
Cres
VGEP
Qg
Qge
Qgc
RBSOA
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon1
Eon2
Eoff
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon1
Eon2
Eoff
Test Conditions
Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
VGE = 15V
VCE = 600V
IC = 35A
TJ = 150°C, RG = 5, VGE =
15V, L = 100H,VCE = 960V
Inductive Switching (25°C)
VCC = 600V
VGE = 15V
IC = 35A
RG = 5
TJ = +25°C
Inductive Switching (125°C)
VCC = 600V
VGE = 15V
IC = 35A
RG = 5
TJ = +125°C
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate-to-Emitter Plateau Voltage
Total Gate Charge 3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller ") Charge
Reverse Bias Safe Operating Area
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 5
Turn-off Switching Energy 6
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 5
Turn-off Switching Energy 6
MIN
TYP
MAX
3240
248
31
7.5
150
21
62
140
16
20
94
40
750
1305
680
16
20
147
75
750
2132
1744
UNIT
pF
V
nC
A
ns
J
ns
J
UNIT
°C/W
gm
MIN
TYP
MAX
.44
N/A
29.2
Characteristic
Junction to Case (IGBT)
Junction to Case (DIODE)
Package Weight
Symbol
RΘJC
WT
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2 For Combi devices, I
ces
includes both IGBT and FRED leakages
3 See MIL-STD-750 Method 3471.
4E
on1
is the clamped inductive turn-on-energy of the IGBT only, without the effect of a commutating diode reverse recovery current
adding to the IGBT turn-on loss. (See Figure 24.)
5E
on2
is the clamped inductive turn-on energy that includes a commutating diode reverse recovery current in the IGBT turn-on switching
loss. (See Figures 21, 22.)
6E
off
is the clamped inductive turn-off energy measured in accordance with JEDEC standard JESD24-1. (See Figures 21, 23.)
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GT120JU2 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APT38N60SC6 38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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