參數(shù)資料
型號(hào)： APT35GP120J
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： APT35GP120J
050-7409
Rev
D
6-2003
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT35GP120J
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,
COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TC=25°C
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = -55°C
IC = 35A
TJ = 25°C
TC=125°C
TC=25°C
TC=125°C
VCE= 960V
VCE= 600V
VCE= 240V
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC=17.5A
IC= 35A
IC= 70A
IC=70A
IC= 17.5A
IC= 35A
80
70
60
50
40
30
20
10
0
120
100
80
60
40
20
0
6
5
4
3
2
1
0
1.2
1.15
1.1
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.8
01
23
45
012
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GT120JU2 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT38N60BC6 38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT38N60SC6 38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT4012BVR 37 A, 400 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT35GP120JDQ2 功能描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT35GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT35GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 55A 260W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT35M42BFN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D)
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