參數(shù)資料
型號: APT35GP120JDF2
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大?。?/td> 208K
代理商: APT35GP120JDF2
050-7408
Rev
E
8-2004
APT35GP120JDF2
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
T
J = 125 C
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
10%
t
f
90%
t
d(off)
Switching
Energy
Collector Voltage
Collector Current
T
J = 125 C
Gate Voltage
Switching Energy
10%
t
r
90%
5%
10%
5 %
t
d(on)
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
IC
A
D.U.T.
APT30DF120
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APT38N60SC6 38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT35GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT35GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 55A 260W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT35M42BFN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D)
APT35M42DN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP