參數(shù)資料
型號(hào)： APT35GP120JDF2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 208K
代理商： APT35GP120JDF2
050-7408
Rev
E
8-2004
APT35GP120JDF2
TJ = 125°C
VR = 800V
15A
30A
60A
trr
Qrr
trr
IRRM
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
TJ = 125°C
VR = 800V
35
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
60A
30A
15A
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
1
2
3
4
5
6
7
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
TJ = 125°C
VR = 800V
30A
15A
60A
500
400
300
200
100
0
35
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100 200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
200
150
100
50
0
VF, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
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PDF描述
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GT120JU2 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT38N60BC6 38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT38N60SC6 38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT35GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APT35M42BFN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D)
APT35M42DN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP
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