參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GN120L2DQ2G
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： IGBT
中文描述： IGBT的
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 236K
代理商： APT50GN120L2DQ2G
0
APT50GN120L2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
160
C
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
V
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
250μs PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
140
120
100
80
60
40
20
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1.0
0.5
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
V
CE
= 600V
V
CE
= 240V
V
CE
= 960V
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(T
J
= 25°C)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
16
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
15V
11V
9V
8V
12V
10V
7V
15V
11V
10V
9V
12V
8V
7V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
= 15V.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50
100
150
200
250
300
350
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
160
140
120
100
80
60
40
20
0
14
12
10
8
6
4
2
0
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Limited
Lead Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GN60BDQ2 IGBT
APT50GN60BDQ2G IGBT
APT50GN60BG IGBT
APT50GN60B IGBT
APT50GP60B2DF2 POWER MOS 7 IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GN60B 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60BDQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
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APT50GN60S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
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