參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GN120L2DQ2G
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： IGBT
中文描述： IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商： APT50GN120L2DQ2G
0
APT50GN120L2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
6,000
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
1,000
500
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C
P
F
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20 30 40 50
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
60 70
80 90 100
F
M
,
120
50
10
5
1
C
0es
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
=
min (f
max
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(on)
+ t
r
+ t
d(off)
+ t
f
P
diss
- P
cond
E
on2
+ E
off
T
J
- T
C
R
θ
JC
f
max2
=
P
diss
=
C
ies
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 2.2
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
0.115
0.115
0.0088F
0.188F
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°
C)
Case temperature. (
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GN60BDQ2 IGBT
APT50GN60BDQ2G IGBT
APT50GN60BG IGBT
APT50GN60B IGBT
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參數(shù)描述
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