參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GP60B
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： APT50GP60B
0
APT50GP60B
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
I
C
V
CLAMP
100uH
V
TEST
A
A
B
D.U.T.
DRIVER*
V
CE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
T0-247 Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
C
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
90%
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
t
f
90%
10%
t
d(off)
Switching Energy
T
T
J
= 125 C
Collector Current
Collector Voltage
Switching Energy
5 %
10%
Gate Voltage
10%
t
d(on)
5%
t
r
90%
T
J
= 125 C
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
I
C
A
D.U.T.
APT30DF60
V
CE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
V
CC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GP60JDQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT50GP60J POWER MOS 7 IGBT
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參數(shù)描述
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APT50GP60J 功能描述:IGBT 600V 100A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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