參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GP60J
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： APT50GP60J
050-7435
Rev
A
4-2003
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
200
180
160
140
120
100
180
160
140
120
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
Cies
Coes
max
max1
max 2
max1
d (on )
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R θ
=
++
+
=
+
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10
20
30
40
50
60
70
80
210
100
50
10
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 5
APT50GP60J
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.0775
0.216
0.0855
0.0158F
0.313F
4.49F
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
RC MODEL
Case temperature
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GP60LDL 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GS60BR(G) 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GS60SR(G) 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GS60BRDQ2(G) 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GS60SRDQ2(G) 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APT50GP60LDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT50GP60LDLG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 150A TO-264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APT50GP60S 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT50GP60SG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube
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