參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GT120B2R
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 196K
代理商： APT50GT120B2R
052-6270
Rev
D
9-2008
Typical Performance Curves
APT50GT120B2R_LR(G)
0
5,000
10,000
15,000
20,000
0
25
50
75
100
125
0
10,000
20,000
30,000
40,000
50,000
60,000
0
10
20
30
40
50
0
1,000
2,000
3,000
4,000
5,000
6,000
10
30
50
70
90
110
0
5,000
10,000
15,000
20,000
10
30
50
70
90
110
0
10
20
30
40
50
60
10
30
50
70
90
110
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
30
50
70
90
110
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
25
30
35
0
20
40
60
80
100
120
V
GE =15V,TJ=125°C
V
GE =15V,TJ=25°C
V
CE = 800V
R
G = 1.0Ω
L = 100μH
V
CE = 800V
V
GE = +15V
R
G = 1.0Ω
V
CE = 800V
T
J = 25°C, or 125°C
R
G = 1.0Ω
L = 100μH
V
GE = 15V
V
CE = 800V
V
GE = +15V
R
G = 1.0Ω
V
CE = 800V
V
GE = +15V
R
G = 1.0Ω
R
G = 1.0Ω, L = 100
μ
H, V
CE = 800V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
R
G = 1.0Ω, L = 100
μ
H, V
CE = 800V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
E
on2,100A
E
off,100A
E
on2,50A
E
off,50A
E
on2,25A
E
off,25A
V
CE = 800V
V
GE = +15V
T
J = 125°C
E
on2,100A
E
off,100A
E
on2,50A
E
off,50A
E
on2,25A
E
off,25A
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
t d(ON)
,TURN-ON
DELA
Y
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
t d(OFF)
,TURN-OFF
DELA
Y
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
t r,
RISE
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
t r,
F
ALL
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on2
,
TURN
ON
ENERGY
LOSS
(
μ
J)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
E
OFF
,
TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(
μ
J)
R
G, GATE RESISTANCE (OHMS)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs Gate Resistance
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(
μ
J)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(
μ
J)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GT120LRG 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT120LR 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT120JRDQ2 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120JRDQ2 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120JU2 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APT50GT120JRDQ2 功能描述:IGBT 1200V 72A 379W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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