參數(shù)資料
型號： APT50GT120JU3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 608K
代理商： APT50GT120JU3
APT50GT120JU3
A
PT
50G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 7
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
01234
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
25
50
75
100
01234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
4
8
12
16
20
025
50
75
100
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 18
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
2
4
6
8
10
12
5
1015
202530
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
20
40
60
80
100
120
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=18
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
I
m
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
IGBT
相關PDF資料
PDF描述
APT50GT120LRDQ2 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT120LRDQ2G 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
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APT50GT60SR 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50M38JFLL 88 A, 500 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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