參數(shù)資料
型號(hào)： APT6010B2FLLG
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 261K
代理商： APT6010B2FLLG
050-7062
Rev
D
6-2006
APT6010B2FLL_LFLL
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE10,MAXIMUMSAFEOPERATINGAREA
FIGURE11, CAPACITANCEvsDRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE
Qg,TOTALGATECHARGE(nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE12,GATECHARGESvsGATE-TO-SOURCEVOLTAGE
FIGURE13, SOURCE-DRAINDIODEFORWARDVOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
20,000
10,000
1,000
100
10
200
100
10
1
10
100
600
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
Crss
Coss
Ciss
TJ=+150°C
TJ=+25°C
220
100
10
1
16
12
8
4
0
TC=+25°C
TJ=+150°C
SINGLE PULSE
OPERATIONHERE
LIMITEDBYRDS(ON)
10mS
1mS
100S
VDS=300V
VDS=120V
VDS=480V
I
D = 54A
I
D (A)
I
D (A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
ID (A)
R
G, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
V
DD = 400V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
td(on)
td(off)
Eon
Eoff
Eon
Eoff
tr
tf
E
on
and
E
off
(
J)
t d(on)
and
t
d(off)
(ns)
SWITCHING
ENERGY
(
J)
t rand
t
f
(ns)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
5
10 15 20 25 30
35 40 45 50
V
DD = 400V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
V
DD = 400V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
E
ON includes
diode reverse recovery
V
DD = 400V
I
D = 54A
T
J = 125°C
L = 100H
E
ON includes
diode reverse recovery
140
120
100
80
60
40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
120
100
80
60
40
20
0
2500
2000
1500
1000
500
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT6010LFLL 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT6010B2FLL 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6010B2FLL 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6010LFLL 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
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參數(shù)描述
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APT6010B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT6010JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT6010JLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT6010LFLL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET TRANSISTOR
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