參數(shù)資料
型號： APT6015JFVR
元件分類： JFETs
英文描述： 35 A, 600 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： APT6015JFVR
Data Sheet D16261EJ2V0DS
4
2SK3575
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
ID
-
Drai
n
Current
-
A
0
50
100
150
200
250
300
350
00.5
11.5
2
VGS = 10 V
4.5 V
Pulsed
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drai
n
Current
-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
01
2
3
45
VDS = 10 V
Pulsed
Tch = 150
°C
75
°C
25
°C
55°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS
(o
ff)
-
G
a
te
C
u
t-
o
ff
Vo
lta
g
e
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-50
0
50
100
150
VDS = 10 V
ID = 1 m A
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|
-
Forw
ard
Trans
fe
rA
d
m
it
tanc
e
-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
Tch =
55°C
25
°C
75
°C
150
°C
VDS = 10 V
Pulsed
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS
(o
n)
-
D
ra
in
t
o
S
o
u
rc
e
O
n
-s
ta
te
R
e
s
is
tanc
e
-
m
0
2
4
6
8
10
1
10
100
1000
10 V
VGS = 4.5 V
Pulsed
ID - Drain Current - A
R
DS
(o
n)
-
D
ra
in
t
o
S
o
u
rc
e
O
n
-s
ta
te
R
e
s
is
tanc
e
-
m
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
ID = 42 A
Pulsed
VGS - Gate to Source Voltage - V
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PDF描述
APT6015JVR 35 A, 600 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APT6017JFLL 31 A, 600 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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