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參數(shù)資料
| 型號： | APT65GP60JD2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 523K |
| 代理商： | APT65GP60JD2 |
Advanced Power Technology
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)
VCE(ON)
IC2
RqJC
Part
Package
Volt
(25OC)
110OC(OC/watt)
Number
Style
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120K
TO-220
600
2.7
30
0.43
APT15GP60K
TO-220
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120B
TO-247
3.9
36
0.27
APT25GP120B
TO-247
3.9
46
0.23
APT35GP120B
TO-247
3.9
54
0.20
APT45GP120B
TO-247
600
2.7
30
0.43
APT15GP60B
TO-247
2.7
49
0.27
APT30GP60B
TO-247
2.7
62
0.23
APT40GP60B
TO-247
2.7
70
0.20
APT50GP60B
TO-247
1200
3.9
61
0.12
APT75GP120B2
T-MAXTM
600
2.7
96
0.15
APT65GP60B2
T-MAXTM
2.7
100
0.12
APT80GP60B2
T-MAXTM
1200
3.9
29
0.44
APT35GP120J
ISOTOP
3.9
34
0.38
APT45GP120J
ISOTOP
3.9
41
0.23
APT75GP120J
ISOTOP
600
2.7
40
0.44
APT40GP60J
ISOTOP
2.7
46
0.38
APT50GP60J
ISOTOP
2.7
60
0.29
APT65GP60J
ISOTOP
2.7
68
0.27
APT80GP60J
ISOTOP
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120BD1
TO-247
600
2.7
30
0.43
APT15GP60BD1
TO-247
2.7
49
0.27
APT30GP60BD1
TO-247
1200
3.9
36
0.27
APT25GP120B2D1
T-MAXTM
3.9
46
0.23
APT35GP120B2D2
T-MAXTM
3.9
54
0.23
APT45GP120B2D2
T-MAXTM
600
2.7
62
0.23
APT40GP60B2D1
T-MAXTM
2.7
72
0.20
APT50GP60B2D2
T-MAXTM
600
2.7
96
0.15
APT65GP60L2D2
264-MAXTM
1200
3.9
29
0.44
APT35GP120JD2
ISOTOP
3.9
34
0.44
APT45GP120JD2
ISOTOP
3.9
41
0.23
APT75GP120JD2
ISOTOP
600
2.7
31
0.51
APT30GP60JD1
ISOTOP
2.7
40
0.44
APT40GP60JD1
ISOTOP
2.7
46
0.38
APT50GP60JD2
ISOTOP
2.7
60
0.29
APT65GP60JD2
ISOTOP
2.7
68
0.27
APT80GP60JD3
ISOTOP
Single
TO-220
TO-220[K]
TO-247[B]
T-MAX[B2]
T-Max
ISOTOP[J]
SOT-227
G
E
C
TO-264
Max
264 MAX [L2]
TO-247
Combi (IGBT & FRED)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT80GP60JD3 | 68 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT15GP60BD1 | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP120B2D1 | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT13GP120BD1 | 21 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GP60B2D2 | 72 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT65GP60JDQ2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT65GP60L2DF2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60L2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60L2DQ2G | 功能描述:IGBT 600V 198A 833W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT66F60B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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