參數(shù)資料
型號： APT75GN60LDQ3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 433K
代理商： APT75GN60LDQ3
050-7620
Rev
B
10-2005
APT75GN60LDQ3(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
GS(TH)
,THRESHOLD
VOLTAGE
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED
)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
0
100
200
300
400
500
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100 125
150 175
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
250
200
150
100
50
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
13 & 15V
9V
8V
7V
10V
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 150A
I
C = 75A
I
C = 37.5A
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 150A
I
C = 75A
I
C = 37.5A
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
VGE = 15V
T
J = 175°C
11V
12V
T
J = 175°C
V
CE = 480V
V
CE = 300V
V
CE = 120V
IC = 75A
TJ = 25°C
LeadTemperature
Limited
LeadTemperature
Limited
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GN60LDQ3G 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT75GN60LDQ3 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT75GP120JDQ3 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GP120JDQ3 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GT120JRDQ3 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT75GP120B2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120B2G 功能描述:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT75GP120J 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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