參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GN60LDQ3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 433K
代理商： APT75GN60LDQ3
050-7620
Rev
B
10-2005
APT75GN60LDQ3(G)
TJ = 125°C
VR = 400V
37.5A
75A
150A
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
140
120
100
80
60
40
20
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
600
500
400
300
200
100
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETE
RS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
T
J = 175°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
TJ = 125°C
VR = 400V
150A
37.5A
75A
TJ = 125°C
VR = 400V
150A
75A
37.5A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GN60LDQ3G 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT75GN60LDQ3 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT75GP120JDQ3 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GP120JDQ3 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GT120JRDQ3 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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