參數(shù)資料
型號： APT75GP120B2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： B2, TMAX-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： APT75GP120B2
050-7424
Rev
B
5-2003
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT75GP120B2
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,
COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
0
1
2
3
45
0
1
2
3
45
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
300
350
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TC=125°C
TC=25°C
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 75A
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TC=25°C
TC=125°C
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
250
200
150
100
50
0
5
4
3
2
1
0
1.2
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
160
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4
3
2.0
1.0
0
300
250
200
150
100
50
0
VCE=960V
VCE=600V
VCE=240V
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 37.5A
IC = 75A
IC = 150A
IC = 37.5A
IC = 75A
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PDF描述
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APT8011JFLL 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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